3-D TCAD Study of the implications of channel width and interface states on FD-SOI Z2-FETs

  1. Navarro, C.
  2. Navarro, S.
  3. Marquez, C.
  4. Padilla, J.L.
  5. Galy, P.
  6. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2019

Volumen: 66

Número: 6

Páginas: 2513-2519

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2019.2912457 GOOGLE SCHOLAR
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