Characteristics of band modulation FET on sub 10 nm SOI

  1. Kwon, S.
  2. Navarro, C.
  3. Gamiz, F.
  4. Cristoloveanu, S.
  5. Galy, P.
  6. Choi, M.
  7. Kim, Y.T.
  8. Ahn, J.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Any de publicació: 2019

Volum: 58

Número: SB

Tipus: Article

DOI: 10.7567/1347-4065/AAFC9F GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus