Thorough Understanding of Retention Time of Z2FET Memory Operation

  1. Duan, M.
  2. Navarro, C.
  3. Cheng, B.
  4. Adamu-Lema, F.
  5. Wang, X.
  6. Georgiev, V.P.
  7. Gamiz, F.
  8. Millar, C.
  9. Asenov, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2019

Volum: 66

Número: 1

Pàgines: 383-388

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2018.2877977 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus