Thorough Understanding of Retention Time of Z2FET Memory Operation

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Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 66

Nummer: 1

Seiten: 383-388

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2018.2877977 GOOGLE SCHOLAR
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