Gate Leakage Tunneling Impact on the InAs/GaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor

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  3. Márquez, C.
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  6. Gámiz, F.
  7. Ionescu, A.M.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 65

Nummer: 10

Seiten: 4679-4686

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2018.2866123 GOOGLE SCHOLAR
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