A review of the Z2-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parameters

  1. Cristoloveanu, S.
  2. Lee, K.H.
  3. Parihar, M.S.
  4. El Dirani, H.
  5. Lacord, J.
  6. Martinie, S.
  7. Le Royer, C.
  8. Barbe, J.-C.
  9. Mescot, X.
  10. Fonteneau, P.
  11. Galy, P.
  12. Gamiz, F.
  13. Navarro, C.
  14. Cheng, B.
  15. Duan, M.
  16. Adamu-Lema, F.
  17. Asenov, A.
  18. Taur, Y.
  19. Xu, Y.
  20. Kim, Y.-T.
  21. Wan, J.
  22. Bawedin, M.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2018

Volum: 143

Pàgines: 10-19

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2017.11.012 GOOGLE SCHOLAR