A review of the Z2-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parameters

  1. Cristoloveanu, S.
  2. Lee, K.H.
  3. Parihar, M.S.
  4. El Dirani, H.
  5. Lacord, J.
  6. Martinie, S.
  7. Le Royer, C.
  8. Barbe, J.-C.
  9. Mescot, X.
  10. Fonteneau, P.
  11. Galy, P.
  12. Gamiz, F.
  13. Navarro, C.
  14. Cheng, B.
  15. Duan, M.
  16. Adamu-Lema, F.
  17. Asenov, A.
  18. Taur, Y.
  19. Xu, Y.
  20. Kim, Y.-T.
  21. Wan, J.
  22. Bawedin, M.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2018

Volume: 143

Páxinas: 10-19

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2017.11.012 GOOGLE SCHOLAR