2D-TCAD simulation on retention time of Z2FET for DRAM application

  1. Duan, M.
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  6. Georgiev, V.P.
  7. Gamiz, F.
  8. Millar, C.
  9. Asenov, A.
Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 9784863486102

Año de publicación: 2017

Volumen: 2017-September

Páginas: 325-328

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.23919/SISPAD.2017.8085330 GOOGLE SCHOLAR
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