Impact of Asymmetric Configurations on the Heterogate Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FET Including Quantum Confinement

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Godoy, A.
  4. Gamiz, F.
  5. Ionescu, A.M.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2015

Volumen: 62

Número: 11

Páginas: 3560-3566

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2015.2476350 GOOGLE SCHOLAR
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