Assessment of pseudo-bilayer structures in the heterogate germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Medina-Bailón, C.
  4. Gámiz, F.
  5. Ionescu, A.M.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 106

Nummer: 26

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.4923467 GOOGLE SCHOLAR

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