Assessment of pseudo-bilayer structures in the heterogate germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Medina-Bailón, C.
  4. Gámiz, F.
  5. Ionescu, A.M.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 2015

Volume: 106

Número: 26

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.4923467 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

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