Modeling the channel charge and potential in quasi-ballistic nanoscale double-gate MOSFETs

  1. Mangla, A.
  2. Sallese, J.-M.
  3. Sampedro, C.
  4. Gamiz, F.
  5. Enz, C.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2014

Volum: 61

Número: 8

Pàgines: 2640-2646

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2014.2327255 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus