Modeling the channel charge and potential in quasi-ballistic nanoscale double-gate MOSFETs

  1. Mangla, A.
  2. Sallese, J.-M.
  3. Sampedro, C.
  4. Gamiz, F.
  5. Enz, C.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 61

Nummer: 8

Seiten: 2640-2646

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2014.2327255 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus