Analytical temperature dependent model for nanoscale double-gate MOSFETs reproducing advanced transport models

  1. Cheralathan, M.
  2. Sampedro, C.
  3. Gámiz, F.
  4. Iñiguez, B.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2014

Volum: 98

Pàgines: 2-6

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2014.04.008 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus