Analytical temperature dependent model for nanoscale double-gate MOSFETs reproducing advanced transport models

  1. Cheralathan, M.
  2. Sampedro, C.
  3. Gámiz, F.
  4. Iñiguez, B.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2014

Volume: 98

Páxinas: 2-6

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2014.04.008 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus