Analytical temperature dependent model for nanoscale double-gate MOSFETs reproducing advanced transport models

  1. Cheralathan, M.
  2. Sampedro, C.
  3. Gámiz, F.
  4. Iñiguez, B.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 98

Seiten: 2-6

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2014.04.008 GOOGLE SCHOLAR

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