Impact of back-gate biasing on effective field and mobility in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2013

Volumen: 113

Número: 14

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4799612 GOOGLE SCHOLAR