Simulation of fabricated 20-nm schottky barrier MOSFETs on SOI: Impact of barrier lowering

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2012

Volumen: 59

Número: 5

Páginas: 1320-1327

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2012.2187657 GOOGLE SCHOLAR
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