Hole transport in DGSOI devices: Orientation and silicon thickness effects

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2010

Volumen: 54

Número: 2

Páginas: 191-195

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2009.12.018 GOOGLE SCHOLAR
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