Hole mobility in ultrathin double-gate soi devices: The effect of acoustic phonon confinement

  1. Donetti, L.
  2. Gamiz, F.
  3. Rodriguez, N.
  4. Godoy, A.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2009

Volumen: 30

Número: 12

Páginas: 1338-1340

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2009.2032568 GOOGLE SCHOLAR
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