A new inversion charge centroid model for surrounding gate transistors with HfO2 as gate insulator
- Balaguer, M.
- Roldán, J.B.
- Tienda-Luna, I.M.
- Ruiz, F.G.
- Godoy, A.
- Gámiz, F.
- Sampedro, C.
Actes:
Proceedings of the 2009 Spanish Conference on Electron Devices, CDE'09
ISBN: 9781424428397
Any de publicació: 2009
Pàgines: 104-107
Tipus: Aportació congrés