Coulomb scattering in high- κ gate stack silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors

  1. Jiḿnez-Molinos, F.
  2. Gámiz, F.
  3. Donetti, L.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 104

Nummer: 6

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2975993 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Datenquelle: Scopus