Monte Carlo simulation of low-field mobility in strained double gate SOI transistors

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Sampedro, C.
  4. Rodriguez, N.
  5. Ruiz, F.
Revista:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Año de publicación: 2008

Volumen: 7

Número: 3

Páginas: 205-208

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/S10825-007-0163-5 GOOGLE SCHOLAR
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