Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
- Rodriguez, N.
- Cristoloveanu, S.
- Gámiz, F.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2007
Ausgabe: 102
Nummer: 8
Art: Artikel