An electron mobility model for ultra-thin gate-oxide MOSFETs including the contribution of remote scattering mechanisms

  1. Rodriguez, N.
  2. Roldán, J.B.
  3. Gámiz, F.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2007

Volumen: 22

Número: 4

Páginas: 348-353

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/22/4/009 GOOGLE SCHOLAR
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