Electron mobility and magneto transport study of ultra-thin channel double-gate Si MOSFETs

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Gamiz, F.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2005

Volum: 49

Número: 9 SPEC. ISS.

Pàgines: 1516-1521

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.SSE.2005.07.016 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus