Electron mobility and magneto transport study of ultra-thin channel double-gate Si MOSFETs

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Gamiz, F.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 49

Nummer: 9 SPEC. ISS.

Seiten: 1516-1521

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.SSE.2005.07.016 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus