Gate bias symmetry dependency of electron mobility and prospect of velocity modulation in double-gate silicon-on-insulator transistors

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Henttinen, K.
  4. Gamiz, F.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2004

Volum: 85

Número: 22

Pàgines: 5442-5444

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1829384 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus