Gate bias symmetry dependency of electron mobility and prospect of velocity modulation in double-gate silicon-on-insulator transistors

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Henttinen, K.
  4. Gamiz, F.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 85

Zenbakia: 22

Orrialdeak: 5442-5444

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1829384 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus