Modeling of retention time degradation due to inelastic trap-assisted tunneling in EEPROM devices

  1. Gehring, A.
  2. Jiménez-Molinos, F.
  3. Kosina, H.
  4. Palma, A.
  5. Gámiz, F.
  6. Selberherr, S.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Año de publicación: 2003

Volumen: 43

Número: 9-11

Páginas: 1495-1500

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00265-8 GOOGLE SCHOLAR
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