A new remote Coulomb scattering model for ultrathin oxide MOSFETs

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Roldán, J.B.
Konferenzberichte:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 0780378261

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 2003-January

Seiten: 47-50

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SISPAD.2003.1233634 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus