Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2002
Volum: 92
Número: 1
Pàgines: 288-295
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2002
Volum: 92
Número: 1
Pàgines: 288-295
Tipus: Article