Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates

  1. Gámiz, F.
  2. Cartujo-Cassinello, P.
  3. Roldán, J.B.
  4. Jiménez-Molinos, F.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 92

Nummer: 1

Seiten: 288-295

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1481962 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus