Improving strained-Si on Si 1-xGe x deep submicron MOSFETs performance by means of a stepped doping profile

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. Kosina, H.
  4. Grasser, T.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2001

Volumen: 48

Número: 9

Páginas: 1878-1884

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.944172 GOOGLE SCHOLAR
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