Phonon-limited electron mobility in ultrathin silicon-on-insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 83

Nummer: 9

Seiten: 4802-4806

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.367273 GOOGLE SCHOLAR

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