Phonon-limited electron mobility in ultrathin silicon-on-insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 1998

Volume: 83

Número: 9

Páxinas: 4802-4806

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.367273 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Fonte de datos: Scopus