Phonon-limited electron mobility in ultrathin silicon-on-insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 1998

Alea: 83

Zenbakia: 9

Orrialdeak: 4802-4806

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.367273 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus