Electron mobility in quantized β-SiC inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 16

Nummer: 3

Seiten: 1631-1633

Art: Artikel

DOI: 10.1116/1.589951 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus