Electron mobility in quantized β-SiC inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Aldizkaria:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Argitalpen urtea: 1998

Alea: 16

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 1631-1633

Mota: Artikulua

DOI: 10.1116/1.589951 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus