A compact quantum model for fin-shaped field effect transistors valid from dc to high frequency and noise simulations

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  2. Nae, B.
  3. Iñiguez, B.
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  6. Godoy, A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 103

Nummer: 8

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2907720 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus