A low-frequency noise model for four-gate field-effect transistors

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Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 55

Nummer: 3

Seiten: 896-903

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2007.914473 GOOGLE SCHOLAR

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