A low-frequency noise model for four-gate field-effect transistors

  1. Tejada, J.A.J.
  2. Rodríguez, A.L.
  3. Godoy, A.
  4. Villanueva, J.A.L.
  5. Gómez-Campos, F.M.
  6. Rodríguez-Bolívar, S.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2008

Alea: 55

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 896-903

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2007.914473 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus