A model for the generation recombination noise in junction field effect structures: Application to four-gate transistors

  1. Jiménez Tejada, J.A.
  2. Rodríguez, A.L.
  3. Godoy, A.
Actes:
AIP Conference Proceedings

ISSN: 0094-243X 1551-7616

ISBN: 9780735404328

Any de publicació: 2007

Volum: 922

Pàgines: 105-110

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1063/1.2759646 GOOGLE SCHOLAR