Dependence of generation-recombination noise with gate voltage in FD SOI MOSFETs

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Revue:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Année de publication: 2012

Volumen: 59

Número: 10

Pages: 2780-2786

Type: Article

DOI: 10.1109/TED.2012.2208970 GOOGLE SCHOLAR

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