Impact of Ge content and recess depth on the leakage current in strained Si1-xGex/Si heterojunctions

  1. Luque Rodríguez, A.
  2. Bargallo Gonzalez, M.
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  4. Claeys, C.
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  6. Simoen, E.
  7. Jiménez Tejada, J.A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2011

Volumen: 58

Número: 8

Páginas: 2362-2370

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2011.2148723 GOOGLE SCHOLAR
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