Modeling of the temperature effects in filamentary-type resistive switching memories using quantum point-contact theory

  1. Calixto, M.
  2. Maldonado, D.
  3. Miranda, E.
  4. Roldán, J.B.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 1361-6463,  0022-3727

Año de publicación: 2020

Volumen: 53

Número: 29

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6463/AB85E5 GOOGLE SCHOLAR
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