Influence of the magnetic field on dielectric breakdown in memristors based on h-BN stacks

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Actas:
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings

ISSN: 1541-7026

ISBN: 9781728131993

Año de publicación: 2020

Volumen: 2020-April

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/IRPS45951.2020.9128325 GOOGLE SCHOLAR
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