Influence of magnetic field on the operation of TiN/Ti/HfO2/W resistive memories

  1. Maldonado, D.
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  6. Roldán, J.B.
Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2019

Volumen: 215

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2019.110983 GOOGLE SCHOLAR
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