On the role of Coulomb scattering in hafnium-silicate gated silicon n and p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2011

Volumen: 110

Número: 12

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3669490 GOOGLE SCHOLAR