Impact of device geometry of the fin Electron-Hole Bilayer Tunnel FET

  1. Alper, C.
  2. Padilla, J.L.
  3. Palestri, P.
  4. Ionescu, A.M.
Actes:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9781509029693

Any de publicació: 2016

Volum: 2016-October

Pàgines: 307-310

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/ESSDERC.2016.7599647 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus